Recuperación Directa e Inversa de Diodos
Marcelo Ariel Vega Odzomek

marcelo@mavnet.com.ar
13 de abril de 2005,
  Buenos Aires
Argentina.

Anterior
 Contenido    Siguiente
     Diodos Schottky.

     Estos diodos se utilizan en aplicaciones de alta frecuencia, como ser rectificación de baja tensión y alta frecuencia, inversores de alta frecuencia y diodos de protección de polaridad. Como se verá estos diodos tienen tiempos de respuesta extremadamente bajos, y se debe que eliminan el almacenamiento de cargas en la juntura pn debido a que esta es entre un semiconductor y un metal. Sobre una capa de silicio tipo n se deposita una capa de metal, lo cual crea una barrera de potencial mucho menor que la tradicional silicio-silicio. La conducción en el diodo solo depende de los portadores mayoritarios, por ello no existen portadores minoritarios en exceso para recombinar, logrando así reducir el trr y trf del diodo, los cuales solo se deben a la auto capacitancia del la juntura.
Esto permite que el diodo sea prácticamente inmune al di/dt del circuito.

1N5817
1N5817 VR=5v
di/dt=68A/us
Tensión del Generador Corriente del diodo Tensión sobre el diodo

Es de destacar que el trr pasa prácticamente desapercibido, no influye en la forma de señal.



1N5817
1N5817 VR=5v
di/dt=68A/us
Tensión del Generador Corriente del diodo Tensión sobre el diodo

Aquí se puede observar como el di/dt prácticamente no influye en la respuesta, ya que apenas hace el cruce por cero de la corriente, se extingue el pico inverso.

1N5817
1N5817 VR=5v
di/dt=68A/us
Tensión del Generador Corriente del diodo Tensión sobre el diodo

El tiempo de respuesta del trf es similar a otros tipos de diodos, lo que se rescata es el bajo valor de polarización del diodo, apenas de 0.4V, debido al potencial entre el silicio y el metal.


Anterior
 Contenido    Siguiente
Recuperación Directa e Inversa de Diodos
Marcelo Ariel Vega Odzomek

marcelo@mavnet.com.ar
13 de abril de 2005,
 Buenos Aires Argentina.