Estos diodos se utilizan en aplicaciones de alta frecuencia, como ser rectificación de baja tensión y alta frecuencia, inversores de alta frecuencia y diodos de protección de polaridad. Como se verá estos diodos tienen tiempos de respuesta extremadamente bajos, y se debe que eliminan el almacenamiento de cargas en la juntura pn debido a que esta es entre un semiconductor y un metal. Sobre una capa de silicio tipo n se deposita una capa de metal, lo cual crea una barrera de potencial mucho menor que la tradicional silicio-silicio. La conducción en el diodo solo depende de los portadores mayoritarios, por ello no existen portadores minoritarios en exceso para recombinar, logrando así reducir el trr y trf del diodo, los cuales solo se deben a la auto capacitancia del la juntura.
Esto permite que el diodo sea prácticamente inmune al di/dt del circuito.